這篇文章給大家聊聊關于半導體Ct設備是干什么的，以及數字電子技術是門什么學科對應的知識點，希望對各位有所幫助，不要忘了收藏本站哦。

本文目錄

1. 數字電子技術是門什么學科
2. 高壓開關的局放是干什么用的
3. 誰能介紹半導體二極管參數符號 CT- Cj的意思

一、數字電子技術是門什么學科

《數字電子技術》這門課程屬于專業基礎課，在電子信息工程專業的知識體系中占有重要的地位。

數字電子技術主要研究各種邏輯門電路、集成器件的功能及其應用，邏輯門電路組合和時序電路的分析和設計、集成芯片各腳功能。

隨著電子信息產業的快速發展，對應用電子技術專業人才的需求不斷增加，這些年來，依托院校、科研院所和企業培養了一批應用電子技術專業人才，但與我國信息產業發展需求相比，仍有很大缺口。在當今社會中，職場相互競爭殘忍，沒有一種技能，沒有學歷證書，就算你說破天沒用，證書就像敲門磚，是暢行無阻在職場遨游的鑰匙，也是和你的薪資息息相關，也是價值體現的基石。

擴展資料：

數字系統廣泛應用于通信、計算機、自動控制、互聯網、物聯網等領域，數字系統與我們的日常生活也密切相關，例如，智能手機、數字電視、數碼相機、醫用心電圖儀、CT儀器設備等都是數字技術的應用實例。

現代的數字電路由半導體工藝制成的若干數字集成器件構造而成。邏輯門是數字邏輯電路的基本單元。存儲器是用來存儲二進制數據的數字電路。從整體上看，數字電路可以分為組合邏輯電路和時序邏輯電路兩大類。

參考資料來源：

百度百科-數字電子技術

二、高壓開關的局放是干什么用的

高壓開關的局放是干什么用的

什么是局部放電

局部放電(局放)是由高中壓早期絕緣故障產生的，目前被廣泛的認為是絕緣程度下降的最好的早期標志，為絕緣失敗提供預警。這使得中高壓電站廠商有機會為防止絕緣失敗而引起災難性故障或爆炸事故的發生而采取改正性或預防性措施。局放行為會逐漸地損害高中壓電纜及設備的絕緣介質，并最終導致絕緣失敗。

局部放電活動會導致中高壓設備絕緣狀況的惡化，如果不進行檢測或維護會造成設備故障的發生。很多情況下事故發生在切換操作后，這給操作人員的人身安全帶了很大的隱患。局部放電(局放)是由高中壓早期絕緣故障產生的，目前被廣泛的認為是絕緣程度下降的最好的早期標志，為絕緣失敗提供預警。這使得中高壓電站廠商有機會為防止絕緣失敗而引起災難性故障或爆炸事故的發生而采取改正性或預防性措施。局放行為會逐漸地損害高中壓電纜及設備的絕緣介質，并最終導致絕緣失敗。目前對中壓開關柜類設備進行的日常巡檢主要還是判斷有無異常的聲音和氣味，以及對設備的外觀狀況的觀察。很主觀也不科學，對設備的運行狀態和絕緣狀況不能做出及時準確的評估。所以使用準確可靠的局部放電檢測儀器進行中高壓開關的狀態診斷和評估是很重要的，這類儀器在歐美等發達國家已經應用了很多年，國內在近幾年也得到了越來越多的應用和發展。

便攜式及在線監測產品，是全球首款融合三種測試技術:超聲波，高頻CT,以及TEV測試技術的產品，設備操做簡單，輕便小巧。可便捷快速對開關柜及電纜等電器設備進行在線監測確定局放量及位置。局部放電原理及電磁放電(TEV)的優點和應用局部放電是指電氣設備絕緣結構中某個區域內出現的放電現象，這種放電只是絕緣結構在該區域內被破壞，主絕緣并未發生貫穿性擊穿，但若局部放電長期存在，在一定條件下可造成設備主絕緣電氣強度的下降和損壞。絕緣結構中若存在局部電場較高(場強分布不均)，或制造工藝不完善、運行中絕緣有機物分解、固體絕緣受機械力作用發生開裂等原因形成缺陷，運行中的這些部位就容易出現絕緣擊穿、發生局部放電。此外在金屬導體(或半導體)電極的尖銳邊緣處，或具有不同特性的絕緣層間，也是局部放電容易發生的部位。局部放電雖然只是絕緣局部發生擊穿，但每次放電對絕緣都會有輕微損傷。

造成損傷的原因有：介質局部溫度上升，氧化加速，使介質的電器、機械性能下降;帶電粒子撞擊介質，切斷分子結構;放電作用下產生的活性氣體與介質發生化學反應，使介質性能變壞。為保證電氣設備在運行中的可靠性，不允許在其絕緣中有局部放電，或只允許有輕微的局部放電。局部放電屬于不會使電極完全短接起來的電氣放電。這種放電的幅值通常都很小。但它可以致使絕緣層性能不斷地下降，并導致最終的故障發生。非侵入式局部放電檢測提供了既快速又簡單的方法，用于識別可能會引起停電或造成人員傷害的潛在絕緣故障。局部放電會以下述的方式放射能量：電磁能量：無線電波、光、熱。聲能：聲波、超聲波。氣體：臭氧、氮氧化物。非侵入式局部放電檢測最實用的技術就是基于檢測電磁頻譜中的無線電頻率部分以及超聲波發射信號。

三、誰能介紹半導體二極管參數符號 CT- Cj的意思

半導體二極管參數符號

CT-勢壘電容

Cj-結（極間）電容，表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv-偏壓結電容

Co-零偏壓電容

Cjo-零偏壓結電容

Cjo/Cjn-結電容變化

Cs-管殼電容或封裝電容

Ct-總電容

CTV-電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

CTC-電容溫度系數

Cvn-標稱電容

IF-正向直流電流（正向測試電流）。

鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流

IF（AV）-正向平均電流

IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。

IH-恒定電流、維持電流。

Ii-發光二極管起輝電流

IFRM-正向重復峰值電流

IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流）

Io-整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)-正向過載電流

IL-光電流或穩流二極管極限電流

ID-暗電流

IB2-單結晶體管中的基極調制電流

IEM-發射極峰值電流

IEB10-雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流

IEB20-雙基極單結晶體管中發射極向電流

ICM-最大輸出平均電流

IFMP-正向脈沖電流

IP-峰點電流

IV-谷點電流

IGT-晶閘管控制極觸發電流

IGD-晶閘管控制極不觸發電流

IGFM-控制極正向峰值電流

IR（AV）-反向平均電流

IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM-反向峰值電流

IRR-晶閘管反向重復平均電流

IDR-晶閘管斷態平均重復電流

IRRM-反向重復峰值電流

IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

Irp-反向恢復電流

Iz-穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流

Izk-穩壓管膝點電流

IOM-最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM-穩壓二極管浪涌電流

IZM-最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流

iF-正向總瞬時電流

iR-反向總瞬時電流

ir-反向恢復電流

Iop-工作電流

Is-穩流二極管穩定電流

f-頻率

n-電容變化指數；電容比

Q-優值（品質因素）

δvz-穩壓管電壓漂移

di/dt-通態電流臨界上升率

dv/dt-通態電壓臨界上升率

PB-承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）-正向導通平均耗散功率

PFTM-正向峰值耗散功率

PFT-正向導通總瞬時耗散功率

Pd-耗散功率

PG-門極平均功率

PGM-門極峰值功率

PC-控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi-輸入功率

PK-最大開關功率

PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP-最大漏過脈沖功率

PMS-最大承受脈沖功率

Po-輸出功率

PR-反向浪涌功率

Ptot-總耗散功率

Pomax-最大輸出功率

Psc-連續輸出功率

PSM-不重復浪涌功率

PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）-正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB-雙基極晶體管的基極間電阻

RE-射頻電阻

RL-負載電阻

Rs(rs)-串聯電阻

Rth-熱阻

R(th)ja-結到環境的熱阻

Rz(ru)-動態電阻

R(th)jc-結到殼的熱阻

rδ-衰減電阻

r(th)-瞬態電阻

Ta-環境溫度

Tc-殼溫

td-延遲時間

tf-下降時間

tfr-正向恢復時間

tg-電路換向關斷時間

tgt-門極控制極開通時間

Tj-結溫

Tjm-最高結溫

ton-開通時間

toff-關斷時間

tr-上升時間

trr-反向恢復時間

ts-存儲時間

tstg-溫度補償二極管的貯成溫度

a-溫度系數

λp-發光峰值波長

△λ-光譜半寬度

η-單結晶體管分壓比或效率

VB-反向峰值擊穿電壓

Vc-整流輸入電壓

VB2B1-基極間電壓

VBE10-發射極與第一基極反向電壓

VEB-飽和壓降

VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF-正向壓降（正向直流電壓）

△VF-正向壓降差

VDRM-斷態重復峰值電壓

VGT-門極觸發電壓

VGD-門極不觸發電壓

VGFM-門極正向峰值電壓

VGRM-門極反向峰值電壓

VF（AV）-正向平均電壓

Vo-交流輸入電壓

VOM-最大輸出平均電壓

Vop-工作電壓

Vn-中心電壓

Vp-峰點電壓

VR-反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）-擊穿電壓

Vth-閥電壓（門限電壓）

VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM-反向工作峰值電壓

V v-谷點電壓

Vz-穩定電壓

△Vz-穩壓范圍電壓增量

Vs-通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓

av-電壓溫度系數

Vk-膝點電壓（穩流二極管）

VL-極限電壓

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